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GaN器件焊接的關鍵 英諾賽科推薦的回流焊曲線
作者：氮化鎵代理商 發(fā)布時間：2025-07-18 14:12:11 點擊量：
GaN功率器件以其優(yōu)越的性能，在眾多高科技領域獲得了廣泛應用，但其焊接工藝對精確度要求極高。英諾賽科官方推薦的回流焊曲線，旨在平衡器件的可靠性與焊接的效率。GaN器件對溫度變化較為敏感，不當?shù)暮附硬僮鳎邕^高的溫度或過長的保溫時間，都可能對其性能造成不利影響。
英諾賽科推薦的回流焊曲線通常包含以下幾個核心環(huán)節(jié)：首先是預熱階段，在此階段會緩慢升溫至150-180°C，升溫速率控制在1-2°C/秒，目的是使PCB和器件的溫度均勻化，并激活助焊劑。
緊接著是保溫區(qū)域，溫度會維持在180-220°C之間，以促進焊料的熔化和流動，并進一步均衡器件溫度，但需要注意避免長時間暴露于高溫環(huán)境。關鍵的回流區(qū)溫度需要超過焊料的峰值熔化溫度，例如235-250°C，并在此區(qū)域停留一小段時間，如60-90秒，以形成高質(zhì)量的焊點；
英諾賽科會根據(jù)具體的焊料和器件封裝提供精確的參數(shù)指導。最后是冷卻階段，需要快速冷卻以固化焊料，但冷卻速度的控制也十分重要，以防止焊點產(chǎn)生裂紋。為確保GaN器件的焊接質(zhì)量和可靠性，遵循英諾賽科提供的具體產(chǎn)品手冊和焊接指南至關重要。
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